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    [摘要]

    1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為0.5V,導通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V;鍺二極管的門檻電壓約為0.1V,導通后在較大電流下的正向壓降約為0.2V。

    2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。

    3、二極管的最主要特性是單向導電性。PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。

    4、二極管最主要的電特性是單向導電性,穩壓二極管在使用時,穩壓二極管與負載并聯,穩壓二極管與輸入電源之間必須加入一個電阻。

    5、電子技術分為模擬電子技術和數字電子技術兩大部分,其中研究在平滑、連續變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術,稱為模擬電子技術。

    6、PN結反向偏置時,PN結的內電場增強。PN具有具有單向導電特性。

    7、硅二極管導通后,其管壓降是恒定的,且不隨電流而改變,典型值為0.7伏;其門坎電壓Vth約為0.5伏。

    8、二極管正向偏置時,其正向導通電流由多數載流子的擴散運動形成。

    9、P型半導體的多子為空穴、N型半導體的多子為自由電子、本征半導體的載流子為電子—空穴對。

    10、因摻入雜質性質不同,雜質半導體可為空穴(P)半導體和電子(N)半導體兩大類。

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    上傳時間:2018/09/20
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