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    Infineon Technologies CoolGaN?氮化镓HEMT

    制造商:Infineon Technologies

    Infineon CoolGaN?氮化镓HEMT具有诸多优势,包括超高效率、可靠性、功率密度以及相对于硅的极高质量。CoolGaN晶体管采用极为可靠的技术,设计用于实现开关模式电源中的超高效率和功率密度。这些器件的工作方式类似于采用p-GaN栅极结构以及增强模式栅极驱动偏置的传统硅MOSFET。

    Infineon CoolGaN质量出众,非常适合用于硬开关和软开关拓扑结构。CoolGaN支持针对PFC来调整更简单的半桥拓扑,包括消除有损输入桥式整流器。CoolGaN HEMT可为功率半导体器件提供更高的临界电场,从而实现出色的高速开关。

    产品规格
    产品属性 属性值 产品属性 属性值
    制造商 Infineon 配置 Single
    产品种类 MOSFET 通道模式 Enhancement
    技术 GaN 商标名 CoolGaN
    安装风格 SMD/SMT 封装 Cut Tape
    封装 / 箱体 PG-LSON-8 封装 Reel
    通道数量 1 Channel 晶体管类型 1 N-Channel
    晶体管极性 N-Channel 商标 Infineon Technologies
    Vds-漏源极击穿电压 600 V 下降时间 13 ns
    Id-连续漏极电流 15 A HTS Code 8541290095
    Rds On-漏源导通电阻 70 mOhms 产品类型 MOSFET
    Vgs th-栅源极阈值电压 0.9 V 上升时间 9 ns
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V 工厂包装数量 3000
    Qg-栅极电荷 5.8 nC 子类别 MOSFETs
    最小工作温度 - 55 C 典型关闭延迟时间 15 ns
    最大工作温度 + 150 C 典型接通延迟时间 15 ns
    Pd-功率耗散 114 W 零件号别名 SP001705420
    产品特性
    600V功?#21183;?#20214;的品质因数
    非常适合用于硬开关和软开关拓扑
    功率密度可提高三倍
    经过优化的开启和关闭模式
    面向创新解决方案和大容量的技术
    SMPS的超高效率
    表面贴装封装可确保完全访问GaN的开关能力
    各种驱动器IC产品组合,简单易用
    系统框图
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